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首頁進口晶振E5SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振



E5SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振

產品型號：58129016

晶振頻率：

晶振尺寸：

產品應用： E3SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振,特點：輕薄小(最大5.0x3.2X0.90mm)。準備好的頻率可以滿足大部分藍牙芯片組的，網絡設計無線模塊設備、多媒體設備和其他便攜式消費設備優異的耐熱性和...

E5SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振,特點：輕薄小 (最大5.0x3.2X0.90mm)。準備好的頻率可以滿足大部分藍牙芯片組的，網絡設計無線模塊設備、多媒體設備和其他便攜式消費設備·優異的耐熱性和抗沖擊性。·無鉛產品。這些方法可以滿足使用無鉛焊料進行再流分析的要求，臺灣鴻星晶振公司，貼片晶振，無源晶振，5032晶振，高精度晶振，高性能晶振，四腳晶振，石英晶振，高品質晶振，低損耗晶振，低功耗晶振，藍牙音箱晶振，智能網卡晶振，智能電表晶振，無線信號傳輸設備晶振，6G局域網晶振，6G衛星晶振，北斗導航定位晶振。

E5SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振

項目標志 E5SB

頻率范圍 F0 8 to 9.999MHz 10 to 11.999MHz 12 to 23.999MHz 24 to 54.000MHz 48 to 80.000MHz

工作模式 Fundamental 3rd Overtone

負載電容 CL 10pF to Series

頻率容差 ΔF/ F0 ±10ppm,±30ppm,±50ppm(At 25℃)

等效串聯電阻 ESR 120Ω max. 80Ω max. 50Ω max. 30Ω max. 70Ω max.

溫度穩定度 TC ±10ppm,±30ppm,±50ppm(Refer to 25℃)

工作溫度范圍 TOPR -20~+70℃,-30~+85℃ Option

儲存溫度范圍 TSTG -55~+125℃

分流電容 C0 7pF max.

絕緣電阻 IR 500MΩ min. (At 100VDC)

驅動電平 DL 100?W(300?W max.)

老化 Fa ±2ppm max. (At 25℃,First year)

包裝單位 1000pcs/reel

E5SB10E000007E無源晶振,鴻星低損耗晶振,領先同行的智能網卡晶振

鴻星原廠編碼生產商品牌型號頻率頻率穩定度頻率容差負載電荷工作溫度

E3SB25E00003FE Hosonic晶振 E3SB 25 MHz ±15ppm ±15ppm 18pF -40°C ~ 85°C

E3SB24E004000E Hosonic晶振 E3SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 18pF -30°C ~ 85°C

E3SB32E001500E Hosonic晶振 E3SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C

E3SB37E0X0004E Hosonic晶振 E3SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 16pF -30°C ~ 85°C

E3SB25E001803E Hosonic晶振 E3SB 25 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -40°C ~ 85°C

E3SB16E0X000WE Hosonic晶振 E3SB 16.384 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E3SB27E0X000VE Hosonic晶振 E3SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E3SB27E00000DE Hosonic晶振 E3SB 27 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

E3SB50E00000AE Hosonic晶振 E3SB 50 MHz ±10ppm ±10ppm 18pF -20°C ~ 70°C

E3SB26E000011E Hosonic晶振 E3SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C

E2SB40E000104ECBB8 Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 12pF -30°C ~ 90°C

E2SB38E0X0300E Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C

E3SB8E0000003E Hosonic晶振 E3SB 8 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E2SB40E000107E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz -12ppm, +20ppm ±5ppm 12pF -40°C ~ 105°C

E2SB40E00010AE Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 7pF -30°C ~ 85°C

E1SB24E00001EE Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -40°C ~ 85°C

E1SB26E007902E Hosonic晶振 E1SB 26 MHz ±15ppm ±10ppm 9pF -40°C ~ 85°C

E3SB24E00000QE Hosonic晶振 E3SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

E3SB40E00010JE Hosonic晶振 E3SB 40 MHz -12ppm, +20ppm ±5ppm 12pF -40°C ~ 105°C

E3SB12E000022E Hosonic晶振 E3SB 12 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -20°C ~ 70°C

E3SB16E000028E Hosonic晶振 E3SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 75°C

E3SB40E00090DE Hosonic晶振 E3SB 40 MHz ±20ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 105°C

E3SB38E0X0006E Hosonic晶振 E3SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E3SB40E00010KECBB8 Hosonic晶振 E3SB 40 MHz ±15ppm ±7ppm 6pF -40°C ~ 100°C

E3SB39E000006E Hosonic晶振 E3SB 39 MHz ±15ppm ±8ppm 10pF -40°C ~ 100°C

E3SB38E0X1806E Hosonic晶振 E3SB 38.4 MHz ±20ppm ±20ppm 10pF -40°C ~ 85°C

E3SB48E000801ECBB8 Hosonic晶振 E3SB 48 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF 0°C ~ 85°C

E3SB12E00004EE Hosonic晶振 E3SB 12 MHz ±35ppm ±8ppm 12pF -40°C ~ 120°C

E1SB60E003701E Hosonic晶振 E1SB 60 MHz ±20ppm ±10ppm 9pF -30°C ~ 105°C

E1SB55E0X0002E Hosonic晶振 E1SB 55.2 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E2SB27E0X0000E Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C

E2SB24E001801E Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -40°C ~ 85°C

E2SB40E000108E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±15ppm ±7ppm 6pF -40°C ~ 100°C

ETSB37E0X0014E Hosonic晶振 ETSB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 16pF -30°C ~ 85°C

ETSB38E0X0005E Hosonic晶振 ETSB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E1SB24E000007E Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E1SB25E000009E Hosonic晶振 E1SB 25 MHz ±30ppm ±30ppm 6pF -30°C ~ 85°C

E1SB24E004000E Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 18pF -30°C ~ 85°C

E1SB38E0X0001E Hosonic晶振 E1SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C

E1SB39E000000E Hosonic晶振 E1SB 39 MHz ±13ppm ±8ppm 10pF -40°C ~ 90°C

E1SB40E00090AECBB8 Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±20ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 105°C

E1SB48E000506E Hosonic晶振 E1SB 48 MHz ±16ppm ±8ppm 11.1pF -40°C ~ 105°C

E1SB25E001000E Hosonic晶振 E1SB 25 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -20°C ~ 70°C

E1SB32E007900E Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF -40°C ~ 85°C

E1SB32E001502E Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±20ppm ±10ppm 12pF -40°C ~ 105°C

E2SB12E000005E Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -20°C ~ 70°C

E1SB37E0X0002E Hosonic晶振 E1SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 16pF -30°C ~ 85°C

E1SB32E001501ECBB8 Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C

E1SB16E000004E Hosonic晶振 E1SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C

ETSB24E000003E Hosonic晶振 ETSB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C

ETSB48E007500ECBB8 Hosonic晶振 ETSB 48 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

ETSB48E007502E Hosonic晶振 ETSB 48 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF -40°C ~ 85°C

ETSB32E000003E Hosonic晶振 ETSB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C

ETSB60E003700E Hosonic晶振 ETSB 60 MHz ±20ppm ±10ppm 9pF -30°C ~ 105°C

E3SB14E0X0002E Hosonic晶振 E3SB 14.7456 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C

E3SB10E000007E Hosonic晶振 E3SB 10 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C

E3SB25E00000DE Hosonic晶振 E3SB 25 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

E3FB24E00000KE Hosonic晶振 E3FB 24 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -20°C ~ 70°C

E3SB48E00000TE Hosonic晶振 E3SB 48 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -20°C ~ 70°C

E3SB50E00002AE Hosonic晶振 E3SB 50 MHz ±18ppm ±7ppm 9pF -40°C ~ 105°C

E2SB16E00000ME Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C

E2SB26E001201E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±13ppm ±5ppm 9pF -40°C ~ 85°C

E2SB32E001201E Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C

E1SB40E001202E Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±17ppm ±10ppm 8pF -40°C ~ 105°C

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　　深圳泰河電子公司主要生產產品為全系列石英晶體振蕩子即：石英晶體諧振器，(DIP晶體SMD 晶體)，石英晶體振蕩器(SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器(SMD晶振VCXO壓控晶振) 。泰河電子公司擁有超過10 年以上的生產經驗，秉持著持續開發與專業技術支持，提供使用者最佳的解決方案及最好的服務品質。產品廣泛用于移動通訊機，數字電視，計算機周邊產品，數碼產品，GPS，通信基站。等高科技產品。其中我司的SMD陶瓷中頻濾波器，SMD陶瓷諧振器等晶振，在通訊機和高檔次游戲機上使用時與日本村田（MURATA）公司性能兼容，體積小，高性能，超薄型。我們擁有日本先進生產技術和技術人員，從韓國SANSUNG公司，SUNIC公司，日本HAMAI公司引進劃片，成模，研磨，檢測。等高精密的自動設備，構造成現代化完美的機械化生產線，從而提高了產品合格率、可靠性、一致性，成本大大降低。同時，我們還擁有一支服務誠懇，兢兢業業，及具競爭意識的銷售團隊，產品主要銷往新加坡，馬來西亞，巴西，澳大利亞，美國，加拿大等國家。我們的銷售與生產完美的融為一體。

　　深圳市泰河電子有限公司
　　代理:EPSON,KDS,CITIZEN,SEIKO
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項目	標志	E5SB
頻率范圍	F0	8 to 9.999MHz	10 to 11.999MHz	12 to 23.999MHz	24 to 54.000MHz	48 to 80.000MHz
工作模式		Fundamental				3rd Overtone
負載電容	CL	10pF to Series
頻率容差	ΔF/ F0	±10ppm,±30ppm,±50ppm(At 25℃)
等效串聯電阻	ESR	120Ω max.	80Ω max.	50Ω max.	30Ω max.	70Ω max.
溫度穩定度	TC	±10ppm,±30ppm,±50ppm(Refer to 25℃)
工作溫度范圍	TOPR	-20~+70℃,-30~+85℃ Option
儲存溫度范圍	TSTG	-55~+125℃
分流電容	C0	7pF max.
絕緣電阻	IR	500MΩ min. (At 100VDC)
驅動電平	DL	100?W(300?W max.)
老化	Fa	±2ppm max. (At 25℃,First year)
包裝單位		1000pcs/reel

鴻星原廠編碼	生產商品牌	型號	頻率	頻率穩定度	頻率容差	負載電荷	工作溫度
E3SB25E00003FE	Hosonic晶振	E3SB	25 MHz	±15ppm	±15ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
E3SB24E004000E	Hosonic晶振	E3SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	18pF	-30°C ~ 85°C
E3SB32E001500E	Hosonic晶振	E3SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E3SB37E0X0004E	Hosonic晶振	E3SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	16pF	-30°C ~ 85°C
E3SB25E001803E	Hosonic晶振	E3SB	25 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E3SB16E0X000WE	Hosonic晶振	E3SB	16.384 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E3SB27E0X000VE	Hosonic晶振	E3SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E3SB27E00000DE	Hosonic晶振	E3SB	27 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
E3SB50E00000AE	Hosonic晶振	E3SB	50 MHz	±10ppm	±10ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
E3SB26E000011E	Hosonic晶振	E3SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000104ECBB8	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	12pF	-30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E	Hosonic晶振	E2SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E3SB8E0000003E	Hosonic晶振	E3SB	8 MHz	±30ppm	±30ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
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E2SB40E00010AE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
E1SB24E00001EE	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
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E1SB55E0X0002E	Hosonic晶振	E1SB	55.2 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E	Hosonic晶振	E2SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±15ppm	±7ppm	6pF	-40°C ~ 100°C
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E1SB24E000007E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB25E000009E	Hosonic晶振	E1SB	25 MHz	±30ppm	±30ppm	6pF	-30°C ~ 85°C
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E1SB38E0X0001E	Hosonic晶振	E1SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB39E000000E	Hosonic晶振	E1SB	39 MHz	±13ppm	±8ppm	10pF	-40°C ~ 90°C
E1SB40E00090AECBB8	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±20ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 105°C
E1SB48E000506E	Hosonic晶振	E1SB	48 MHz	±16ppm	±8ppm	11.1pF	-40°C ~ 105°C
E1SB25E001000E	Hosonic晶振	E1SB	25 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
E1SB32E007900E	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±15ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E1SB32E001502E	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±20ppm	±10ppm	12pF	-40°C ~ 105°C
E2SB12E000005E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E1SB37E0X0002E	Hosonic晶振	E1SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	16pF	-30°C ~ 85°C
E1SB32E001501ECBB8	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E1SB16E000004E	Hosonic晶振	E1SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
ETSB24E000003E	Hosonic晶振	ETSB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
ETSB48E007500ECBB8	Hosonic晶振	ETSB	48 MHz	±15ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
ETSB48E007502E	Hosonic晶振	ETSB	48 MHz	±15ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
ETSB32E000003E	Hosonic晶振	ETSB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
ETSB60E003700E	Hosonic晶振	ETSB	60 MHz	±20ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 105°C
E3SB14E0X0002E	Hosonic晶振	E3SB	14.7456 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E3SB10E000007E	Hosonic晶振	E3SB	10 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E3SB25E00000DE	Hosonic晶振	E3SB	25 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
E3FB24E00000KE	Hosonic晶振	E3FB	24 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E3SB48E00000TE	Hosonic晶振	E3SB	48 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
E3SB50E00002AE	Hosonic晶振	E3SB	50 MHz	±18ppm	±7ppm	9pF	-40°C ~ 105°C
E2SB16E00000ME	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±13ppm	±5ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E1SB40E001202E	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±17ppm	±10ppm	8pF	-40°C ~ 105°C
ETSB27E0X0003E	Hosonic晶振	ETSB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C

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