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應(yīng)用案例

首頁應(yīng)用案例移動產(chǎn)品NDK晶振,石英晶振,NX2016SF晶振

    NDK晶振,石英晶振,NX2016SF晶振

  • 產(chǎn)品型號:8129723
  • 晶振頻率:19.200~54.000MHZ
  • 晶振尺寸:2.0*1.6*0.65mm 詳細(xì)資料參考PDF
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)...


  日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通晶體振蕩器(PXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過程。通過使產(chǎn)品更加緊湊,可以增加每個工序引入的零件數(shù)量。設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此,每個產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量,然后抑制二氧化碳排放。與這項(xiàng)改革,減少功耗設(shè)備也實(shí)施。為了快速響應(yīng)我們的客戶需求,我們整合了我們的基本技術(shù),設(shè)計(jì)技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù),成功地減少和減輕產(chǎn)品使用最先進(jìn)的技術(shù)。
    NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”。為取得社會的信任,為推動環(huán)境負(fù)荷最小化,集團(tuán)還開展了各種各樣的活動。
    NDK石英晶振在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。

NDK晶振規(guī)格 單位 NX2016SF晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 19.2 - 52 MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg −40 - +85 °C 裸存
工作溫度 T_use −30 - +85 °C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率 DL 10μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10 × 10-6 ~ ±12 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.robbia.com.cn
頻率溫度特征 f_tem ±10 × 10-6/-30°C ~ +85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 7PF 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年


   
Cstray可能從2p??F到6pF不等。
    可拉性:在并聯(lián)諧振晶體中,頻率隨負(fù)載電容CL的變化而變化??烧{(diào)性是并聯(lián)電容Co運(yùn)動電容C1和晶體尺寸的函數(shù)。
    絕緣電阻:晶體引線之間或引線與外殼(金屬外殼)之間的電阻。它在100V±15V的直流電壓下測試,絕緣電阻在500莫姆范圍內(nèi)。
    串聯(lián)諧振:當(dāng)諧振時阻抗最小時發(fā)生串聯(lián)諧振。其串聯(lián)諧振的等效電路是一個電阻。
    品質(zhì)因數(shù):是運(yùn)動電感,諧振頻率和ESR的質(zhì)量函數(shù)。典型的范圍是從十幾到幾百。
    晶體等效電路
   
示出了石英晶體的等效電路以解釋控制晶體特性和性能的基本元素。它由運(yùn)動電容C1,電感L1,串聯(lián)電阻R1??和分路電容C0組成。前三個參數(shù)被稱為石英晶體元件的“運(yùn)動參數(shù)”。
   
陶瓷諧振器應(yīng)用說明
   
一般描述
    為什么陶瓷諧振器?在精度方面,陶瓷諧振器位于石英晶體振蕩器和LC / RC振蕩器之間。它們相當(dāng)小,無需調(diào)整,啟動時間更短,成本更低。
    封裝:陶瓷諧振器帶有標(biāo)準(zhǔn)的單列直插式封裝(ZTA,ZTB和ZTT),或者帶有內(nèi)置電容器的3引腳(ZTTS,ZTTCV)。
    性質(zhì):陶瓷諧振器的振蕩取決于與其壓電晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)的機(jī)械諧振。這些材料(通常是鈦酸鋇或鋯鈦酸鉛)具有較大的偶極子運(yùn)動,這通過施加的電場引起晶體的變形或生長。
    頻率范圍:可用頻率范圍從190 kHz到50 MHz不等。
    頻率穩(wěn)定度:在溫度范圍內(nèi)(即-20oC至+ 80oC),與25o C的測量頻率相比,最大允許頻率偏差。典型的穩(wěn)定性為±0.3%(±3000ppm)。
    頻率允差:室溫下允許的額定頻率偏差。頻率容差以百分比表示,典型值為±0.5%或百萬分率(ppm),±5000ppm。
諧振阻抗:晶體在工作諧振電路中的阻抗值。
    老化:相對頻率在一段時間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下,10年內(nèi)的老化率為±0.5%。
    負(fù)載電容:負(fù)載電容(CL)是通過兩個諧振器端子查看電路時振蕩器所表現(xiàn)的電容量。負(fù)載電容用一對C1和C2表示,默認(rèn)值見表格。
    等效電路:它的等效電路類似于石英晶體等效電路,即由并聯(lián)CO電容并聯(lián)的串聯(lián)L1,C1,R1電路組成。標(biāo)準(zhǔn)ZTAS-MG-4.00MHz的典型參數(shù)如下:L - 330uH,Cl - 5pF,C0 - 40pF和Q?900。

    超聲波清洗
    (1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
    (2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。
    (3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
    (4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
    (5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
    操作
    請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
    使用環(huán)境(溫度和濕度)
    請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
   
晶體單元/諧振器
   
激勵功率
    在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
    負(fù)極電阻
    除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
    負(fù)載電容
    振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。


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