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歐美晶振

首頁(yè)歐美晶振Shinsung晶振Shinsung晶振,貼片晶振,TF-13S晶振

    Shinsung晶振,貼片晶振,TF-13S晶振

  • 產(chǎn)品型號(hào):45461647
  • 晶振頻率:32.768 KHz
  • 晶振尺寸:3.2*1.5*0.9mm
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 隨著科技數(shù)碼產(chǎn)品的小型化發(fā)展,晶體元件的尺寸也從最初的插件龐大體積演變成目前的多種規(guī)格SMD小尺寸趨勢(shì),目前晶體內(nèi)部的石英晶片已經(jīng)達(dá)到了+-0.002mm以內(nèi)了,由于很多晶振廠家在生產(chǎn)小尺寸時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題,晶片很小...

  Shinsung晶振,貼片晶振,TF-13S晶振,
2000年1月 完成高頻VCXO (100MHz以上)的開(kāi)發(fā);Mar.2001 開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal;Jul.2002 注冊(cè)ISO 9001  完成了可編程振蕩器的開(kāi)發(fā);Jul.2002 開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器;Jun.2005 SMD生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張和樓宇自動(dòng)化;2006年8月 開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD晶體 OSC和X-Tal(7050,5032尺寸);2007年2月 完成SMD VCXO(7050,5032尺寸)的開(kāi)發(fā);Aug.2009 完成SMD Crystal(3225尺寸)的開(kāi)發(fā);2009年12月 完成SMD VCTCXO(5032尺寸)的開(kāi)發(fā)開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO(7050,5032尺寸)。
    2010年1月 完成SMD石英晶體振蕩器(3225尺寸)的開(kāi)發(fā)開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶(3225尺寸);2010年2月 完成SMD LVPECL振蕩器(7050尺寸)的開(kāi)發(fā);2010年3月 在800MHz頻段(7050,14x9.6尺寸)完成LVPECL OSC的開(kāi)發(fā);2010年4月 在800MHz頻段(7050,14x9.6尺寸)完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器(3225尺寸),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器(7050尺寸);2011年2月 完成SMD VCTCXO(3225尺寸)的開(kāi)發(fā);AUG.2011 開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO(3225尺寸);Mar.2012 成立附屬研究所。

  隨著科技數(shù)碼產(chǎn)品的小型化發(fā)展,晶體元件的尺寸也從最初的插件龐大體積演變成目前的多種規(guī)格SMD小尺寸趨勢(shì),目前晶體內(nèi)部的石英晶片已經(jīng)達(dá)到了+-0.002mm以內(nèi)了,由于很多貼片晶振廠家在生產(chǎn)小尺寸時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題,晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致晶片不能正常工作,在隨著長(zhǎng)時(shí)間的研究目前小尺寸的晶體已完全走入了成熟的階段。
Shinsung晶振規(guī)格 單位 TF-13S晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 32.768 KHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40℃ ~ 90℃ 裸存
工作溫度 T_use -10℃ ~ 70℃ 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10× 10-6 ~ ± 50 × 10-6 可用)
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.robbia.com.cn
頻率溫度特征 f_tem ±20 × 10-6/25°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 12.5pF 不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

    進(jìn)口石英SMD晶振和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
   
所有晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。
   
噪音
    在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
    電源線路
    電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。Shinsung晶振,貼片晶振,TF-13S晶振
    輸出負(fù)載
    建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
    未用輸入終端的處理
    SPXO普通晶體振蕩器的未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
    熱影響
    重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
    安裝方向
    振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
    通電
    不建議從陶瓷殼音叉晶體的中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。


質(zhì)量政策
        保持就健康安全環(huán)境問(wèn)題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話.通過(guò)在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的49S假貼片晶振,石英晶體諧振器等產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).


1.技術(shù)支持                        2.客服咨詢
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